鐘罩爐石墨盤是鐘罩爐系統中的中心部件，首要用于承載工件并在高溫環境下結束均勻加熱，其用處廣泛，包含多個高精度熱處理范疇。以下是其具體用處的具體分析：
1.半導體制作
晶圓熱處理
    在集成電路制作中，石墨盤用于晶圓的退火、氧化、懈怠、外延成長等工藝。例如，在懈怠工藝中，石墨盤承載晶圓并均勻加熱至1000℃以上，確保摻雜劑均勻懈怠到晶圓外表，構成安穩的PN結。
    要害要求：溫度均勻性需控制在±1℃以內，防止晶圓內部應力或電學功用差異。
外延層堆積
    在LED芯片和功率器件制作中，石墨盤用于承載晶圓進行外延層堆積（如GaN、SiC）。其高純度（≥99.99%）和低雜質特性可防止污染外延層，確保器件功用。
2.光伏工業
硅片懈怠與鈍化
    在PERC、TOPCon等高效電池片制作中，石墨盤用于硅片的磷懈?。∟型）或硼懈?。≒型），以及不好鈍化層（如AlOx、SiNx）的堆積。
    要害作用：石墨盤的高導熱性確保硅片外表溫度均勻，防止懈怠濃度梯度導致的功率不堅決。
高溫燒結
    在銀漿燒結工藝中，石墨盤承載電池片并加熱至800-900℃，使銀漿與硅片構成歐姆觸摸，下降觸摸電阻。
3.熱處理與金屬加工
粉末冶金燒結
    在硬質合金、陶瓷粉末的燒結過程中，石墨盤作為承載東西，供應均勻的熱場，確保燒結體密度和功用共同。
    優勢：石墨的耐高溫性（最高可達3000℃）和化學安穩性可防止與金屬粉末發生反應。
淬火與回火
    在金屬零件的熱處理中，石墨盤用于承載工件進行淬火（快速冷卻）或回火（消除應力），行進零件的硬度和耐性。
4.先進資料制備
碳化硅（SiC）單晶成長
    在物理氣相傳輸（PVT）法成長SiC單晶時，石墨盤作為坩堝或籽晶托盤，接受2000℃以上的高溫，并堅持熱場安穩。
    應戰：石墨盤需具有高純度（防止碳污染）和抗熱震性（接受快速升降溫）。
石墨烯制備
    在化學氣相堆積（CVD）法成長石墨烯時，石墨盤作為基底，承載銅箔或鎳箔并加熱至1000℃左右，促進碳原子堆積構成石墨烯薄膜。
5.科研與新資料開發
高溫試驗途徑
    在資料科學研究中，石墨盤用于高溫拉曼光譜、X射線衍射等試驗，供應安穩的加熱和承載途徑。
    優勢：石墨的低布景信號可削減對試驗作用的煩擾。
新式半導體資料檢驗
    在氧化鎵（Ga2O2）、氮化鋁（AlN）等寬禁帶半導體資料的研發中，石墨盤用于高溫摻雜、退火等工藝，驗證資料功用。
6.鐘罩爐石墨盤的中心優勢
    高溫安穩性：可接受2000℃以上的高溫，適用于極點工藝條件。
    化學慵懶：在高溫下不與大多數資料反應，防止污染工件。
導熱均勻性：經過優化規劃（如導熱銅管、分區加熱），結束盤面溫度均勻性±1℃以內。
    可定制性：可根據工件形狀（如圓形、方形）和標準定制凹槽、凸臺等結構。
7.運用案例
案例1：半導體晶圓懈怠
    某芯片制作廠運用鐘罩爐石墨盤進行12英寸晶圓的磷懈怠，工藝溫度1050℃，懈怠時刻60分鐘。石墨盤經過導熱銅管結束溫度均勻性±0.8℃，晶圓方塊電阻均勻性≤3%。
案例2：光伏電池片燒結
    某光伏企業采用石墨盤進行PERC電池片的銀漿燒結，工藝溫度850℃，升溫速率50℃/s。石墨盤的高導熱性使電池片轉化功率行進0.15%。
    鐘罩爐石墨盤的中心用處是在高溫環境下為工件供應均勻、安穩的熱場，其運用掩蓋半導體、光伏、熱處理、先進資料等多個范疇。跟著半導體工藝節點縮小和光伏電池功率行進，對石墨盤的溫度均勻性、純度和機械強度要求越來越高。未來，跟著第三代半導體（如SiC、GaN）和柔性電子的發展，鐘罩爐石墨盤將在更苛刻的工藝條件下發揮要害作用。